一种双向ESD二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种双向ESD二极管，属于电子器件技术领域，其中：包括若干整流芯片A和若干整流芯片B，相邻整流芯片A阴阳极间相互叠加固定连接，相邻整流芯片B阴阳极间相互叠加固定连接且与整流芯片A叠加方向相反，最后一个整流芯片A阴极与最后一个整流芯片B阳极经导线连接，第一个整流芯片A阳极与第一个整流芯片B阴极经导线连接；多个相邻的整流芯片A芯片相互叠加，同时与整流芯片A相互叠加反向的多个整流芯片B芯片相互叠加，根据反向击穿电压的需要，利用整流芯片本身的正向压降，制作成具备双向保护功能的ESD二极管，获得低反向击穿电压、低电容且结构紧凑的二极管。
基本信息
专利标题 ：
一种双向ESD二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921121653.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN210092079U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
李大强杨秀斌胡忠
申请人 ：
中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请人地址 ：
贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
代理机构 ：
贵阳睿腾知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙超峰
优先权 ：
CN201921121653.X
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L25/07 H01L21/52
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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