低损耗防反接的上电系统
授权
摘要
本实用新型涉及一种低损耗防反接的上电系统，所述的上电系统包括输入端和输出端，所述的输入端和输出端之间设置上电开关、CAN收发器、三极管以及分压电阻。采用本实用新型的低损耗防反接的上电系统，通过背靠背MOSFET组成防反接低功耗的上电开关，该上电开关由CAN收发器的使能输出控制，CAN收发器的使能输出控制由硬线唤醒信号或CAN通信信号触发，上电开关闭合后给后级电源或者其他负载供电，实现了反接保护、低功耗设计与供电拓扑设计的解耦。
基本信息
专利标题 ：
低损耗防反接的上电系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921202612.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN210053236U
授权日 ：
2020-02-11
发明人 ：
韩伟祁华铭周宣陈庆旭
申请人 ：
上海金脉电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区零陵路583号9楼338室
代理机构 ：
上海唯源专利代理有限公司
代理人 ：
曾耀先
优先权 ：
CN201921202612.3
主分类号 ：
H02J7/00
IPC分类号 ：
H02J7/00 H02H11/00 B60R16/033
法律状态
2020-02-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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