一种大尺寸单晶取段收尾结构
授权
摘要
本实用新型提供一种大尺寸单晶取段收尾结构，包括上段部和与所述上段部一体连接的下段部，所述上段部的高度大于所述下段部的高度，所述上段部最大直径与晶体等径段直径相同；所述下段部最大直径大于所述上段部最小直径且小于所述上段部最大直径；所述下段部中最大高度位于两侧最小高度之间，且从最小高度到最大高度之间为可变曲面。本实用新型提出的取段收尾结构为一种新型的收尾结构，尤其适用于大尺寸单晶晶体的收尾，解决了现有技术中收尾控制生产效率低的技术问题，适普性高且可控。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸单晶取段收尾结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921225191.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN210636088U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
郭谦张文霞高润飞王林徐强霍志强韩凯武志军郭志荣张石晶
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921225191.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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