一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片
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摘要
本实用新型公开了一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片，包括DBR反射层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、电流阻挡层和P型电极，所述P型半导体层设置在发光层上方，且所述P型半导体层设置有第一环形凹槽。本实用新型的有益效果是：本实用新型是在生长二氧化硅之前，对P型半导体层进行表面结构设计，在P型半导体层上，且在P型电极的正下方，刻蚀出第一环形凹槽，再生长二氧化硅，形成的电流阻挡层与P型半导体层之间紧密结合，结构稳定，电流阻挡层不易从P型半导体层上脱落。P型半导体层上的第一环形凹槽深度为500A，不会破坏P型半导体的结构性能，N型半导体层上的第二环形凹槽深度500A，不会破坏N型半导体层的结构性能。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高稳定性电流阻挡层的LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921316017.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-14
授权号 ：
CN210429860U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
徐珊珊吴疆丁磊
申请人 ：
安徽芯瑞达科技股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区方兴大道6988号芯瑞达科技园
代理机构 ：
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩立峰
优先权 ：
CN201921316017.2
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/38 H01L33/46
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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