一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器，属于光探测器技术领域，包括外壳、电子组件和探测窗，所述电子组件安装在外壳内部，所述探测窗镶嵌在外壳表面，所述外壳分别包括下壳体和上壳体，所述下壳体和上壳体一端通过铰链连接，所述上壳体顶端螺旋插接有锁紧轮，所述上壳体表面对称开设有定位孔，所述下壳体右端表面中间位置开设有螺纹孔，且下壳体右端表面对称安装有定位柱，所述下壳体上方一体成型有凸台，所述凸台外壁靠近底端粘接有密封圈。本实用新型把上壳体和下壳体的一端通过铰链连接，组装的时候，仅通过一个锁紧轮插接在螺纹孔内部即可锁紧固定，操作省时省力。
基本信息
专利标题 ：
一种具有低点缺陷密度的二类超晶格光探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921385429.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-26
授权号 ：
CN210245513U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
詹健龙宋禹忻
申请人 ：
浙江焜腾红外科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市经济技术开发区昌盛南路36号嘉兴智慧产业创新园10号楼104室
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
程开生
优先权 ：
CN201921385429.1
主分类号 ：
H01L31/0203
IPC分类号 ：
H01L31/0203
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
