一种H桥压接式IGBT测试系统
授权
摘要
本申请公开了一种H桥压接式IGBT测试系统，包括支撑件、立柱、加压装置、滑块压头、上位机和两个实验臂桥；立柱至少两根且垂直设置，实验臂桥设置在至少两根立柱之间；滑块压头能够沿着立柱上下移动并压在两个实验臂桥的顶部；两组实验臂桥的4个IGBT通过接线板连接成H桥式；加压装置包括压力杆、压力传递装置和电机；压力传递装置内设有压力传感器；压力杆对滑块压头施加压力；上位机与电机和实验臂桥通信连接。上述系统可以在测试过程中施加可调节的外部压力，精确检测压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系，解决了现有装置无法对压接式IGBT外部施加的压力与器件电气特性之间的动态关系进行测量的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种H桥压接式IGBT测试系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921453958.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN210863940U
授权日 ：
2020-06-26
发明人 ：
肖磊石盛超卢启付张健唐酿黄辉骆潘钿
申请人 ：
广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区东风东路757号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄忠
优先权 ：
CN201921453958.0
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-06-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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