一种石墨舟的缓存导正装置及管式PECVD设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种石墨舟的缓存导正装置及管式PECVD设备，该石墨舟的缓存导正装置包括：底座，其将各个组件固定；至少两组校正机构，其调整石墨舟的位置；以及感应组件，其包括触发组件和响应组件；其中，两两所述校正机构对称设置于所述底座的两侧，所述感应组件固定于所述底座的一侧且位于两两所述校正机构之间。本案的石墨舟的缓存导正装置有效防止石墨舟由缓存架上反复取放的过程中，对石墨舟造成划伤破损，导致石墨舟定位偏差加大、石墨舟掉落、石墨舟维护成本升高等问题的出现。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨舟的缓存导正装置及管式PECVD设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921563409.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-19
授权号 ：
CN211999909U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
王玉明刘景博陈晖张庶
申请人 ：
苏州拓升智能装备有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区木渎镇金枫南路1258号B3幢二楼
代理机构 ：
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩飞
优先权 ：
CN201921563409.9
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/513 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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