管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置
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摘要
本实用新型提供了一种管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置，缓冲区对应石墨舟上方固定有支架，拍舟装置包括至少两组连接在支架上的拍打机构；拍打机构包括拍打气缸，拍打气缸的活塞杆向下伸出并指向石墨舟上端面，拍打气缸的活塞杆下端面上固定有附件加工件，附件加工件的下端面上固定有硅胶缓冲垫；拍打气缸的外壳上还固定有气缸缓冲器，拍打气缸的外壳上具有气缸挡块，气缸挡块与气缸缓冲器之间距离为活塞杆运动的最大行程；拍打气缸的外壳上还固定有上限位块。本实用新型提供的管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置，结构设计合理，采用机械替代人工，减少人工损耗，提高工艺效率，同时减少工艺硅片污染，减少硅片破片率并可有效提高硅片良品率。
基本信息
专利标题 ：
管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920436266.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-02
授权号 ：
CN209652423U
授权日 ：
2019-11-19
发明人 ：
邹海军吴家宏张凯胜姚伟忠孙铁囤
申请人 ：
常州亿晶光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市金坛市尧塘镇金武路18号
代理机构 ：
常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱丽莎
优先权 ：
CN201920436266.9
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 H01L31/18
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2019-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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