一种硅片镀膜用石墨舟
授权
摘要
本实用新型提供一种硅片镀膜用石墨舟，包括固定机构、放置框、承载机构以及硅片，放置框设置为中部中空前后两面无壁的框体，放置框左端面左侧和右端面右侧分别设置有两个固定机构，放置框上端面开设有多个放置槽，承载机构放置在放置槽内部，硅片设置在承载机构内部，承载机构包括半圆碗底托、延伸边以及卡孔，半圆碗底托下端面中间与放置框内部底壁相接触，延伸边具体为半圆碗底托上端口边垂直向上延伸形成的中空柱状体，卡孔开设在中空柱状体上部分，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：结构简单，使用方便，不会损坏硅片表面，且避免了硅片发生的左右偏移导致的镀膜失败。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片镀膜用石墨舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021453092.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-22
授权号 ：
CN213232489U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
张伟
申请人 ：
苏州天伦新能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江经济技术开发区清树湾村15组4幢209室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021453092.6
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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