石墨舟内硅片位置矫正装置
授权
摘要
本实用新型涉及太阳能电池生产领域。石墨舟内硅片位置矫正装置，包括安装在石墨舟外壳（1）上的液压缸（2）、安装在液压缸（2）的伸缩臂上的横梁（9）、通过螺柱（5）安装在横梁（9）上的拍板（4），横梁（9）上有通孔（8），螺柱（5）一端通过焊接、一体化连接、螺栓连接的任意一种连接方式固定在拍板（4）上，螺柱（5）另一端深入通孔（8）中并通过第一螺帽（6）和第二螺帽（7）进行固定，液压缸（2）通过电磁阀连接电源，PLC连接电磁阀。本实用新型通过PLC控制电池阀的开关，从而控制拍舟频率，通过控制螺杆上的第一螺帽和第二螺帽的位置从而控制拍板到石墨舟外壳距离，从而控制拍舟力度。
基本信息
专利标题 ：
石墨舟内硅片位置矫正装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022462964.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213624372U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
宋慧锋马树明宋如意谢正杰
申请人 ：
山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请人地址 ：
山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 ：
李富元
优先权 ：
CN202022462964.1
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50 H01L31/18 H01L21/673
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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