一种避免硅片EL污染的石墨舟
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摘要
本实用新型公开了一种避免硅片EL污染的石墨舟，包括石墨舟本体，所述的石墨舟本体上设有若干个等间距设置的石墨舟片，在所述的石墨舟片的边缘布置了包括至少3个不全部共线设置的卡点连接件；所述的卡点连接件包括位于中间的连接板和位于两侧的挡板，所述的连接板和所述的挡板之间的间隙形成凹槽结构，所述的连接板的厚度大于所述石墨舟片的厚度，硅片通过同一侧的凹槽卡接在石墨舟片的上方，两者之间的间隙为1‑2mm。本实用新型通过增大设置在石墨舟中的卡点连接件位于中间的连接板的厚度，使得搭载在石墨舟上的硅片与石墨舟片分隔开来，避免石墨舟上的污染物扩散到硅片上，降低EL污染的发生几率。
基本信息
专利标题 ：
一种避免硅片EL污染的石墨舟
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020249492.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-04
授权号 ：
CN211879349U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
童锐柯希满张忠卫
申请人 ：
南通苏民新能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市通州湾江海联动开发示范区扶海路99号
代理机构 ：
南京纵横知识产权代理有限公司
代理人 ：
董建林
优先权 ：
CN202020249492.9
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L31/18 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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