集成ESD保护的沟槽MOSFET
授权
摘要
本实用新型公开一种更优越的集成ESD保护的沟槽MOSFET，其集成ESD保护的沟槽MOSFET，在MOSFET的栅极和源极之间，包含有正、反向PN结串联组成的稳压二极管，所述稳压二极管的一端连接MOSFET的栅极，另一端连接MOSFET的源极；在MOSFET的栅极和漏极之间，包含有正、反向PN结串联组成的稳压二极管，所述稳压二极管的一端连接MOSFET的栅极，另一端连接MOSFET的漏极。
基本信息
专利标题 ：
集成ESD保护的沟槽MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921656756.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-30
授权号 ：
CN210167361U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
潘光燃
申请人 ：
深圳市芯电元科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房
代理机构 ：
北京久维律师事务所
代理人 ：
陈强
优先权 ：
CN201921656756.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/02 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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