集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET
授权
摘要
本实用新型公开一种集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET，其以两层多晶硅、更低成本的方法制程实现，在本实用新型形成MOSFET屏蔽栅的多晶硅，和形成MOSFET的ESD保护二极管的多晶硅，是同一层多晶硅(第一层多晶硅)，而形成MOSFET的栅极的多晶硅，是第二层多晶硅；整个制造流程中只需要两层多晶硅方法，即可实现集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET之器件结构，比传统方法减少了一层多晶硅，实现方法更简单，降低了制造复杂度和方法成本，现对于现有技术具有重大进步。
基本信息
专利标题 ：
集成ESD保护的屏蔽栅沟槽MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921264319.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-06
授权号 ：
CN210443554U
授权日 ：
2020-05-01
发明人 ：
潘光燃
申请人 ：
深圳市芯电元科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区梅林街道梅华路105号国际电子商务产业园3栋202B房
代理机构 ：
北京久维律师事务所
代理人 ：
陈强
优先权 ：
CN201921264319.X
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/04 H01L29/16 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/8249 H01L21/336 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-05-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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