一种霍尔离子源
授权
摘要
本实用新型属于离子源技术领域，公开一种霍尔离子源，包括反应室，所述反应室包括第一反应室、第二反应室、第三反应室，所述第二反应室分别与所述第一反应室、第三反应室相连；所述第一反应室包括磁钢模块，所述磁钢模块包括多块同轴设置的磁钢元件；所述第二反应室包括阳极模块；所述第三反应室包括阴极元件；所述磁钢模块、所述阳极模块、所述阴极元件相对设置。本实用新型提供的一种霍尔离子源，磁钢组件设置为可叠加的结构，可以通过增减磁钢元件的个数实现调节磁场大小。
基本信息
专利标题 ：
一种霍尔离子源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921703112.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN211227315U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
刘慧超
申请人 ：
东莞东阳光高能医疗设备有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区光大We谷A1栋1318号房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921703112.8
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34 C23C14/32 H01J27/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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