一种用于碳化硅炉自动调节温场梯度的装置
授权
摘要

本实用新型涉及碳化硅单晶生长炉领域,特别是涉及一种用于碳化硅炉自动调节温场梯度的装置。包括反应腔室,反应腔室外部设有加热单元,反应腔室内设有热场;还包括温度测量单元、加热单元提升系统和可编程逻辑控制器;加热单元包含感应线圈与电源,感应线圈设于反应腔室外部,加热单元提升系统与感应线圈和可编程逻辑控制器相连,用于带动感应线圈沿反应腔室外壁的竖向运动;温度测量单元包括多个光学温度测量传感器,对称设于反应腔室的顶部和底部并与可编程逻辑控制器相连。本实用新型可以按照工艺设定要求,自动调整电源输出功率和线圈位置,达到热场顶部温控和纵向温度梯度控制,避免因人为误操作引起风险,同时节省人工成本。

基本信息
专利标题 :
一种用于碳化硅炉自动调节温场梯度的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921803720.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-25
授权号 :
CN212270278U
授权日 :
2021-01-01
发明人 :
胡建荣高宇倪军夫董熔成陈焕石明智阮文星傅林坚曹建伟
申请人 :
浙江晶盛机电股份有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
周世骏
优先权 :
CN201921803720.6
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B23/00  G05D23/30  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-01-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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