一种具备高发射电流效率的电注入阴极
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摘要
一种具备高发射电流效率的电注入阴极，其中，n型GaAs衬底上表面依次生长有n型变带隙AlGaAs层、n型AlGaAs层、p型AlGaAs层、p型变带隙AlGaAs层及p型GaAs层，p型GaAs层上利用等离子体增强化学气相沉积技术沉积有SiO2绝缘层，同时在被刻蚀掉部分SiO2绝缘层的p型GaAs层上生成有用于形成驱动电极的发射区域，且发射区域中未被驱动电极覆盖的p型GaAs层表面则为用于形成Cs‑O激活层的阵列电子发射面；并在n型GaAs衬底下表面形成有提供电子的电极，本实用新型无需精确控制刻蚀变带隙AlGaAs/GaAs阵列发射层，使得电注入阴极结构更简单，更易于实现，发射电流效率高。
基本信息
专利标题 ：
一种具备高发射电流效率的电注入阴极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921831173.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN210403649U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
邹继军夏聚洋彭新村邓文娟
申请人 ：
东华理工大学
申请人地址 ：
江西省南昌市经济技术开发区广兰大道418号
代理机构 ：
南昌新天下专利商标代理有限公司
代理人 ：
施秀瑾
优先权 ：
CN201921831173.2
主分类号 ：
H01J9/02
IPC分类号 ：
H01J9/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J9/00
专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法；从放电管或灯回收材料
H01J9/02
电极或电极系统的制造
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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