一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种PT200温度传感器芯片，包括陶瓷基底和薄膜铂层，薄膜铂层通过激光雕刻成型，薄膜铂层的两端连接有导线。还公开了一种PT200温度传感器，包括套管、芯片和导热填充层，所述套管为整体式陶瓷套管，所述芯片位于套管的底部，且芯片与套管支架具有间距，所述导热填充层充满套管的内部空间且包覆芯片；所述芯片包括陶瓷基底和薄膜铂层薄，薄膜铂层的两端连接有导线，每根导线连接有金属针，所述金属针沿套管轴向延伸至套管之外。本实用新型的PT200温度传感器的灵敏度较高，耐高温，能够在高温环境中持续稳定地工作，保证足够的使用寿命；此外，抗震性能好，不受取车颠簸的影响，适用于汽车发动机和汽车尾气温度的检测。
基本信息
专利标题 ：
一种PT200温度传感器芯片及PT200温度传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921867528.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
CN210981571U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
张洪磊
申请人 ：
成都聚源杰能科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市武侯区科华北路141号附1号309室
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘文娟
优先权 ：
CN201921867528.3
主分类号 ：
G01K7/18
IPC分类号 ：
G01K7/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01K
温度测量；热量测量；未列入其他类目的热敏元件
G01K7/08
被测物体本身构成热电材料之一，例如，尖端型的
G01K7/16
利用电阻元件
G01K7/18
元件为线性电阻，例如，铂电阻温度计
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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