一种镀膜辅助装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种镀膜辅助装置，包括基座、设于所述基座上的固定支架、与所述固定支架固定连接的第一固定件、与所述固定支架滑动连接的第二固定件和与所述固定支架连接的操作件；所述第一固定件和所述第二固定件间形成芯片固定区，所述操作件能够控制所述第二固定件在靠近和远离所述第一固定件的方向上滑动。通过操作件控制芯片固定区的大小能够使其适应各种数量的芯片；能够非常便捷简单的完成对芯片的批量定位，提高了定位的精度；而且多个芯片的侧面相互连接形成一个面积较大的待镀膜平面，使镀膜过程中的精度较易控制，避免镀至芯片的其他位置，提高了镀膜的成功率和合格率；批量定位和批量镀膜还提高了镀膜的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种镀膜辅助装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921995089.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN211311569U
授权日 ：
2020-08-21
发明人 ：
李莹刘宏亮杨彦伟
申请人 ：
芯思杰技术（深圳）股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区学苑大道1001号南山智园A5栋4楼
代理机构 ：
深圳智汇远见知识产权代理有限公司
代理人 ：
李雪鹃
优先权 ：
CN201921995089.4
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2020-08-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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