一种PECVD制程腔离子源扩散板上料装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种PECVD制程腔离子源扩散板上料装置，包括沉积箱腔体、推动装置和安装装置；使用时，启动转动电机带动转动盘进行转动使得转动杆进行转动，使得摆动杆进行摆动进而带动连接杆和推动杆对扩散板进行左右的推动，在将扩散板放置在下电极板放入两侧，有效地将离子化的气体向两侧扩散并均匀地向抽气口扩散，致使在两电极板中的等离子体也可均匀地向两侧扩散，增加等离子体面积，同时也增加薄膜沉积的面积，勿需将极板扩大的情况下，有效地增大等离子体沉积面积，对于装置的制造成本及节约能源有相当的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种PECVD制程腔离子源扩散板上料装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922061964.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211420307U
授权日 ：
2020-09-04
发明人 ：
张佳宾
申请人 ：
深圳市鑫宝达光电有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙岗街道南约社区南同大道2号（西段）3楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922061964.8
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/448
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-09-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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