反熔丝结构及可编程存储器
授权
摘要
本申请涉及一种反熔丝结构以及包括该反熔丝结构的可编辑存储器。该反熔丝结构包括：第一掺杂区和至少部分形成于第一掺杂区内的第二掺杂区；隔离层，形成于第一掺杂区和部分第二掺杂区上，隔离层具有暴露第二掺杂区的窗口；栅极结构，包括叠设的熔丝介质层和栅导电层，熔丝介质层通过窗口与第二掺杂区接触；第一电极，与栅导电层接触；第二电极，依次穿透栅极结构和隔离层并与第二掺杂区接触，第二电极和栅极结构之间通过隔离垫片电隔离。通过将第二掺杂区设于栅极结构下方并使第二电极贯穿栅极结构以与第二掺杂区接触，可以减小反熔丝结构的占据面积，提高器件的集成度。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝结构及可编程存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922075776.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN210575939U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
吴秉桓
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
汪洁丽
优先权 ：
CN201922075776.0
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L27/112
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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