一种TSV转接板互连结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种TSV转接板互连结构，包括：衬底；第一导电硅通孔，所述第一导电硅通孔从所述衬底的底面向内部延伸，且未漏出所述衬底的顶面；第二导电硅通孔，所述第二导电硅通孔从所述衬底的顶面向内部延伸，并与所述第一导电硅通孔的底部垂直电连接；第一互连层，所述第一互连层设置在所述衬底的底面，且与所述第一导电硅通孔电连接；以及第二互连层，所述第二互连层设置在所述衬底的顶面，且与所述第二导电硅通孔电连接。
基本信息
专利标题 ：
一种TSV转接板互连结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922220577.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN211045426U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
戴风伟曹睿曹立强
申请人 ：
上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN201922220577.4
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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