还原炉底盘结构
授权
摘要
本实用新型涉及还原炉底盘结构，包括底盘主体(1)、从内到外依次布置在底盘主体(1)上的若干组硅棒(2)，以及布置在底盘主体(1)上的进气口(3)和出气口(4)，每组硅棒(2)由多对硅棒(2)围成一个同心圆，任意相邻两组硅棒之间的间距相等，并记为SA，同一组硅棒(2)中，任意一对硅棒(2)的两个硅棒(2)的间距记为SB，分别处于不同对硅棒(2)的任意相邻两个硅棒(2)的间距记为SC，且SB不等于SC。与现有技术相比，本实用新型通过控制同心圆间距相等，使得层间硅棒相互辐射距离相近，从而使得每根硅棒周围相互辐射热相互接近，采用进出气均匀分布的方式，保证温度场和流场的均匀，解决了大炉型的布棒尺寸大的问题。
基本信息
专利标题 ：
还原炉底盘结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922284771.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN212504015U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
彭建涛汤晓英薛小龙茅陆荣陈宏伟杜彦楠
申请人 ：
上海市特种设备监督检验技术研究院;上海森松新能源设备有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区金沙江路915号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘燕武
优先权 ：
CN201922284771.9
主分类号 ：
C01B33/021
IPC分类号 ：
C01B33/021
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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