获得半导体晶粒相对两面光学检测完全等照度照明的装置
授权
摘要
本实用新型是一种获得半导体晶粒相对两面机器视觉光学检测的完全等照度照明的装置，包括在光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、转像光学组件和半导体晶粒，所述半导体晶粒由透明载物台支撑，半导体晶粒的天面和底面与远心成像镜头的光轴平行，所述转像光学组件与半导体晶粒之间的上、下两侧分别设有棱镜组件，两个棱镜组件远离远心成像镜头光轴的一侧分别设有独立可调控的第一、第二照明光源，第一、第二照明光源分别经过其中一个棱镜组件为半导体晶粒的天面和底面照明，同时半导体晶粒的天面和底面分别通过棱镜组件、转像光学组件以完全相同的成像光路经270度转像后，成像在相机传感器面上不同的区域位置。本实用新型可以实现半导体晶粒天面与底面同时检测的完全等光程成像与等照度照明。
基本信息
专利标题 ：
获得半导体晶粒相对两面光学检测完全等照度照明的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922384513.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-26
授权号 ：
CN211741108U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
廖廷俤颜少彬李世展
申请人 ：
泉州师范学院
申请人地址 ：
福建省泉州市丰泽区东海大街398号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
林捷
优先权 ：
CN201922384513.8
主分类号 ：
G01N21/95
IPC分类号 ：
G01N21/95 G01N21/01 G02B13/22 G03B15/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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