一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构，包括基板台、支撑台，基板台设于支撑台上，支撑台内设有传输冷却液的冷却管，所述冷却管上设有中心定位件，中心定位件用于冷却管定位于基板台底部正中心位置，中心定位件包括定位套，定位套上设有用于冷却管定位的第一管孔，定位套安装于支撑台底部，定位套上设有通水孔，还包括支撑台连接件,支撑台连接件为中空结构，定位套套接于支撑台连接件上端，支撑台连接件连接于支撑台底部。通过中心定位件保证冷却管处于基板台底部正中心位置，实现冷却液均匀喷淋覆盖在支撑台内部的上端面，基板台与支撑台紧密贴合安装，进而实现基板台冷却均匀，有利于MPCVD设备基板台上样品的金刚石膜沉积。
基本信息
专利标题 ：
一种MPCVD设备基板台冷却管定位结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922413887.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-29
授权号 ：
CN212223095U
授权日 ：
2020-12-25
发明人 ：
黄翀范杰
申请人 ：
长沙新材料产业研究院有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓谷企业广场B8栋7楼
代理机构 ：
武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李恭渝
优先权 ：
CN201922413887.8
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/511 C23C16/46 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2020-12-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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