一种SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法
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摘要
一种SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法，属于镀膜技术领域。SIH膜制备方法包括：步骤S01，对溅射镀膜机腔体抽真空；步骤S02,将玻璃基片置于镀膜腔室内加热；步骤S03,利用等离子气体Ar,对玻璃基片进行ICP离子预清洗；步骤S04,在靶材附近充入Ar和H2,在直流脉冲模式下用Ar和H2轰击Si靶,在玻璃基片的沉底上形成SIH膜。红外带通多层膜制备方法包括：步骤S10,采用上述方法在玻璃基片上制备SIH膜；步骤S20，在腔体内部充入Ar和O2，用Ar轰击Si靶，生成SiO2膜；步骤S30，重复步骤S10‑S20形成红外带通多层膜。本发明生产成本低，产能高，能生产出N>3.68,k<0.0002特性的SIH膜和低角度效应的红外带通滤光片。
基本信息
专利标题 ：
一种SIH膜制备方法、红外带通多层膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111235521A
申请号 ：
CN202010045219.9
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN111235521B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
陆张武王迎李恭剑徐征驰
申请人 ：
浙江晶驰光电科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市椒江区开发大道东段2198号一期联合厂房3楼-A
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
张海兵
优先权 ：
CN202010045219.9
主分类号 ：
C23C14/02
IPC分类号 ：
C23C14/02 C23C14/06 C23C14/34 C03C17/22
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/02
待镀材料的预处理
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/02
申请日 : 20200116
申请日 : 20200116
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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