红外热电堆阵列及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种红外热电堆阵列及其制备方法，该方法包括：提供正面形成有呈阵列分布的红外热电偶衬底；于衬底背面形成具有外缘介质层及内部介质层的图形化的介质层及释放槽刻蚀窗口；于外缘介质层上形成光刻胶层；藉由释放槽刻蚀窗口采用深反应离子刻蚀刻蚀第一预设深度的衬底；去除内部介质层；采用深反应离子刻蚀刻蚀外缘介质层内部裸露出的衬底，形成呈阵列分布的凸台。采用本方法制备的红外热电堆阵列，降低红外热电堆的热导及破膜风险；另外，凸台可迅速导热，使冷结区温度与环境温度保持一致，同时，在刻蚀形成该凸台时，只需要考虑剩余衬底的侧腐蚀，大大降低侧腐蚀对凸台的影响，从而大大减小凸台的尺寸，利于阵列集成度的提高。
基本信息
专利标题 ：
红外热电堆阵列及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566585A
申请号 ：
CN202011357595.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
荆二荣徐德辉
申请人 ：
上海烨映微电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区胜竹路1399号2幢2层236室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN202011357595.8
主分类号 ：
H01L35/32
IPC分类号 ：
H01L35/32 H01L35/34 H01L21/3065 B81B7/02
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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