单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法
授权
摘要

本发明公开的单晶炉,包括牵引室,牵引室的外壁上设置有单晶硅棒测量组件和单晶硅棒转移保护组件,单晶硅棒测量组件包括位于牵引室外壁的纵向导轨,导轨上配合设置有底端可运动至牵引室下方的移动元件,移动元件的底端连接有与牵引室同轴的环形扫描元件,移动元件上连接有位于牵引室外壁上的动力元件二;单晶硅棒转移保护组件包括沿牵引室径向与其外壁依次连接的转轴和动力元件一,转轴上连接有可旋转至牵引室下方的定位元件。本发明还公开了采用上述单晶炉进行单晶硅棒测量的方法。本发明的单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法,解决了现有单晶硅棒冷却后测量过程中复杂的人工操作带来的精度差、效率低及单晶硅棒转移过程中安全性差的问题。

基本信息
专利标题 :
单晶炉及采用其进行单晶硅棒测量的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111411390A
申请号 :
CN202010243723.X
公开(公告)日 :
2020-07-14
申请日 :
2020-03-31
授权号 :
CN111411390B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
姚自峰
申请人 :
陕西梵翌琨机电科技有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市西咸新区沣西新城钓台街道办事处李家庄省电三台路北1号
代理机构 :
西安弘理专利事务所
代理人 :
曾庆喜
优先权 :
CN202010243723.X
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00  C30B29/06  G01B21/00  G01B21/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-04-12 :
授权
2020-08-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20200331
2020-07-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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