铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用
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摘要
本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物。本发明能够降低制备铁酸铋膜材料的温度至450℃以下，且该铁酸铋膜材料具有较高的极化强度。
基本信息
专利标题 ：
铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111525024A
申请号 ：
CN202010285269.4
公开（公告）日 ：
2020-08-11
申请日 ：
2020-04-13
授权号 ：
CN111525024B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
欧阳俊牛淼淼朱汉飞
申请人 ：
欧阳俊
申请人地址 ：
山东省济南市长清区大学路3501号
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
王磊
优先权 ：
CN202010285269.4
主分类号 ：
H01L41/316
IPC分类号 ：
H01L41/316 H01L41/187 C23C14/08 C23C14/16 C23C14/35
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/316
申请日 : 20200413
申请日 : 20200413
2020-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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