新型PCB微蚀液及其制备方法
授权
摘要
本发明提供了一种新型PCB微蚀液，包括：30‑80ml/L的过氧化氢溶液，50‑120ml/L的硫酸，0.5‑10ml/L的环胺衍生物，0.2‑5g/L的氨基三甲叉膦酸，2‑10g/L的有机酸盐，2‑10g/L的水溶性木质素，0.2‑3g/L含磷助剂，5‑30ml/L聚四氟乙烯分散液，溶剂为水。本发明的PCB微蚀液可以在高浓度的铜含量下维持微蚀速率，溶铜量可以达到110g/L以上。本发明还提供了一种新型PCB微蚀液的制备方法，包括以下步骤：聚四氟乙烯分散液的制备，稀硫酸的配制，加入环胺衍生物、氨基三甲叉膦酸、有机酸盐和含磷助剂混合均匀，加入聚四氟乙烯分散液、水溶性木质素混合均匀，加入过氧化氢混合均匀。通过本发明的方法得到的微蚀液，溶液中各化学成分稳定，同时保证了铜蚀刻量与蚀刻效率。
基本信息
专利标题 ：
新型PCB微蚀液及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111334800A
申请号 ：
CN202010331253.2
公开（公告）日 ：
2020-06-26
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN111334800B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
许永章张本汉喻荣祥
申请人 ：
信丰正天伟电子科技有限公司
申请人地址 ：
江西省赣州市信丰县工业园区诚信大道
代理机构 ：
南昌贤达专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
金一娴
优先权 ：
CN202010331253.2
主分类号 ：
C23F1/18
IPC分类号 ：
C23F1/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/14
含水组合物
C23F1/16
酸性组合物
C23F1/18
蚀刻铜或铜合金用的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-07-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23F 1/18
申请日 : 20200424
申请日 : 20200424
2020-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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