内嵌输入缓冲器的超高速自举开关电路
授权
摘要
本发明公开了一种内嵌输入缓冲器的超高速自举开关电路，包括输入NMOS管、输入PMOS管、导通开关NMOS管和时钟控制NMOS管；输入端与输入PMOS管的栅极及输入NMOS管的栅极相连；高压源经第一恒流源与输入PMOS管的源极、导通开关NMOS管的栅极以及时钟控制NMOS管的漏极相连接，时钟控制NMOS管的栅极与时钟信号输入端相连接；输入NMOS管的漏极与高压源相连，信号输出端与导通开关NMOS管的漏极相连。本发明利用NMOS源极跟随器和PMOS源极跟随器的直流电压差来实现自举开关的电压抬升，省去了用于抬升开关电压的电容。本发明不仅仅电路结构简单，而且具有高速的工作状态切换速度。
基本信息
专利标题 ：
内嵌输入缓冲器的超高速自举开关电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111431517A
申请号 ：
CN202010378270.1
公开（公告）日 ：
2020-07-17
申请日 ：
2020-05-07
授权号 ：
CN111431517B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
王晓飞孙权严伟董磊袁婷
申请人 ：
西安交通大学;西安航天民芯科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
郭瑶
优先权 ：
CN202010378270.1
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687 H03K17/04 H03M1/12
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-08-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20200507
申请日 : 20200507
2020-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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