一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法
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摘要
本发明涉及太阳电池技术领域的一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法，结构包括设置在单晶硅片衬底上方的第一受光面和下方的第二受光面，至少在第一受光面上或者第一受光面和第二受光面上的本征硅基薄膜钝化层均是三层复合结构，其中第一层和第三层均为本征掺杂氢化非晶硅层，第二层为设置在第一层和第三层之间的宽带隙本征氢化非晶SiAx：H层；制作方法为在晶体硅衬底的受光面沉积一层非晶硅层；再生长一层宽带隙硅基i‑SiAx层；再生长一层非晶硅层，形成本征硅基钝化层；解决高钝化性能和低寄生吸收不能兼得、高钝化性能和低串联电阻相互制约的问题；该本征硅基钝化层可以降低晶体硅表面的复合速率，又可以利用宽带隙提升到达吸收层的入射光。
基本信息
专利标题 ：
一种硅异质结太阳电池本征钝化层的结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111628032A
申请号 ：
CN202010390696.9
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2020-05-11
授权号 ：
CN111628032B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
张丽平刘正新韩安军孟凡英石建华杜俊霖蓝仕虎闫涛罗洁
申请人 ：
中威新能源（成都）有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区中国(四川)自由贸易试验区成都市双流西南航空港经济开发区内
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋秀清
优先权 ：
CN202010390696.9
主分类号 ：
H01L31/0747
IPC分类号 ：
H01L31/0747 H01L31/0216 H01L31/20
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0747
申请日 : 20200511
申请日 : 20200511
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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