具有底切非本征基极区的异质结双极晶体管
公开
摘要
本发明涉及具有底切非本征基极区的异质结双极晶体管，揭示了异质结双极晶体管的器件结构和制造方法。沟槽隔离区位于半导体衬底中以定义有源区。基极层包括分别位于有源区上方的第一区段和分别位于沟槽隔离区上方的第二区段。发射极指状物分别位于基极层的第一区段上。基极层的第一区段包括单晶半导体材料，且基极层的第二区段包括多晶半导体材料。基极层的第二区段在垂直方向与沟槽隔离区隔开以定义在基极层的周边周围延伸的第一空腔和连接到第一空腔的第二空腔。
基本信息
专利标题 ：
具有底切非本征基极区的异质结双极晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628490A
申请号 ：
CN202111195950.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萨拉·麦克塔格特刘岂之夫厚尔·杰恩M·莱维保拉·费希尔詹姆斯·R·埃利奥
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111195950.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/737 H01L21/331
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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