超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体及制备方法
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摘要
本发明涉及氧化锆陶瓷粉制备领域，尤其涉及超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体的制备方法，其特征是包括如下步骤：S1：用水将水溶性锆盐稀释至1～3mol/L，搅拌并超声至溶液澄清，制得溶液A；S2：配置与溶液A浓度相同的氢氧化钠溶液，记为溶液B；S3：将分散剂和水混合搅拌，加入溶液B形成pH值为10的反应液，加入溶液A和溶液B调节反应液pH值为7～7.5，加入溶液B调节反应液pH值为9～10，搅拌，制得浆料C；S4：以去离子水洗涤浆料C；S5：将浆料C烘干至恒重，煅烧，得煅烧粉；S6：煅烧粉中加去离子水混合，球磨，滤出，烘干，研磨并过筛，即得终产物。本方法工艺简单，绿色环保，煅烧温度低、节约能耗，产品粒径小、纯度高，具有超高比表面积。
基本信息
专利标题 ：
超高比表面积的纯单斜相纳米级二氧化锆粉体及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111573728A
申请号 ：
CN202010410716.4
公开（公告）日 ：
2020-08-25
申请日 ：
2020-05-15
授权号 ：
CN111573728B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
王林芳胡法卿范宇升
申请人 ：
浙江金琨锆业有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区临江高新技术产业园区经六路1399号
代理机构 ：
杭州华知专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张德宝
优先权 ：
CN202010410716.4
主分类号 ：
C01G25/02
IPC分类号 ：
C01G25/02 B82Y30/00 C04B35/486 C04B35/626 B01J21/06 B01J32/00 B01J35/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G25/00
锆的化合物
C01G25/02
氧化物
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-09-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 25/02
申请日 : 20200515
申请日 : 20200515
2020-08-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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