一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法
授权
摘要
本发明涉及一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法，包括：首先在压电薄膜内注入He离子，在压电薄膜近表面形成缺陷层；然后利用Ar离子轰击晶圆表面，形成光滑表面；再利用Kr离子轰击晶圆表面，使得缺陷层转变为非晶层；最后利用酸性腐蚀液腐蚀，去除形成的非晶层，得到具有低表面粗糙度的薄膜表面。本发明有效降低了压电薄膜表面粗糙度，降低了表面粗糙度引起的声波损耗和光学损耗，方法简单、成本低，具有良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于离子束增强腐蚀的压电晶圆表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111740009A
申请号 ：
CN202010553381.1
公开（公告）日 ：
2020-10-02
申请日 ：
2020-06-17
授权号 ：
CN111740009B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
黄凯欧欣赵晓蒙李忠旭陈阳
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海泰能知识产权代理事务所
代理人 ：
魏峯
优先权 ：
CN202010553381.1
主分类号 ：
H01L41/332
IPC分类号 ：
H01L41/332 H01L41/253
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2022-04-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 41/332
登记生效日 : 20220330
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
变更后权利人 : 上海新硅聚合半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区长宁路865号
变更后权利人 : 201815 上海市嘉定区新徕路168号2幢2层A区
登记生效日 : 20220330
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
变更后权利人 : 上海新硅聚合半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区长宁路865号
变更后权利人 : 201815 上海市嘉定区新徕路168号2幢2层A区
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 41/332
申请日 : 20200617
申请日 : 20200617
2020-10-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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