本发明公开了一种面向中子防护的铝基碳化硼结构的增材制造方法，包括下述步骤：将铝合金实体结构通过拓扑优化再设计为点阵结构，并通过激光选区熔化技术对其进行制造成形；所述点阵结构为内部为具有一定孔隙率的多孔结构，而外部轮廓封闭，但留有碳化硼粉末填充口；将细小的碳化硼粉末灌入铝合金点阵结构中；将铝合金点阵结构的碳化硼粉末填充口通过激光选区熔化技术进行再增材，从而使再增材后的铝合金点阵结构外部轮廓实体完整。本发明将增材制造结构成形自由度高的特点应用到防中子辐射铝基碳化硼材料的成形制造中，弥补了防中子辐射铝基碳化硼材料的传统制造方法无法成形异性结构，中子吸收材料空间分布防护效能低且有漏缝的缺陷。