一种硅基铌酸锂混合电光调制器

授权

摘要

本发明公开了一种硅基铌酸锂混合电光调制器。电光调制器中的传输波导、电光调制波导是水平狭槽波导结构，光场在波导中以TM模式进行传输，调制电极置于电光调制波导旁并能形成电连接，用调制电极向电光调制波导施加电场实现光强或者相位的调制；硅‑铌酸锂‑硅的水平狭槽波导结构为由上平板和下平板为硅、中间的狭槽为铌酸锂的三层波导结构，中间的狭槽为衔接连接于上平板和下平板之间的截面为梯形的结构，且狭槽的铌酸锂材料为z切向，即其非常光轴垂直于光场传输面。本发明用于光通信系统中的电光相位调制和电光强度调制，具有大调制带宽、低工作电压、高调制效率、小器件尺寸、结构简单、设计简易、工艺简便等优点。

基本信息

专利标题：

一种硅基铌酸锂混合电光调制器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112363331A

申请号：

CN202010922441.2

公开（公告）日：

2021-02-12

申请日：

2020-09-04

授权号：

CN112363331B

授权日：

2022-05-27

发明人：

戴道锌潘炳呈

申请人：

浙江大学

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司

代理人：

林超

优先权：

CN202010922441.2

主分类号：

G02F1/035

IPC分类号：

G02F1/035 G02B6/122