一种硅基行波电极调制器
授权
摘要

本申请公开了一种硅基行波电极调制器,包括依次层叠的硅衬底、绝缘层和光波导层,以及设于所述光波导层上的行波电极;所述光波导层包括光波导和光波导两侧的掺杂接触区,所述行波电极通过导电过孔与所述掺杂接触区电连接;所述硅衬底位于所述光波导下方的区域设有电学防损耗部,所述电学防损耗部邻接所述绝缘层,所述电学防损耗部包括填充于所述硅衬底内的无损耗介质。在硅衬底位于光波导下方的位置制作电学防损耗部,减少了调制器的微波损耗,可有效提高调制器的带宽,同时具有较强的机械强度,具备良好的可靠性、稳定性和产品良率。

基本信息
专利标题 :
一种硅基行波电极调制器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021222723.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-29
授权号 :
CN212341627U
授权日 :
2021-01-12
发明人 :
闫冬冬李显尧
申请人 :
苏州旭创科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市工业园区霞盛路8号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202021222723.3
主分类号 :
G02F1/025
IPC分类号 :
G02F1/025  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的,例如,PN、PIN结
G02F1/025
在光导设备中的
法律状态
2021-01-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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