一种在硅纳米线及其阵列中形成裂纹的方法
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摘要
本发明公开了一种在硅纳米线及其阵列中形成裂纹的方法，属于新材料技术领域。本发明将提出了一种在硅纳米线及其阵列中快速形成裂纹的方法。该方法工艺简单，成本低廉，可工业化生产，可大规模用于硅纳米线及其阵列的剥离与转移，在锂离子电池、太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种在硅纳米线及其阵列中形成裂纹的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112028077A
申请号 ：
CN202010970032.X
公开（公告）日 ：
2020-12-04
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN112028077B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
彭奎庆
申请人 ：
北京师范大学
申请人地址 ：
北京市海淀区新街口外大街19号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202010970032.X
主分类号 ：
C01B33/021
IPC分类号 ：
C01B33/021 B82Y30/00 B82Y40/00 H01M10/0525
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-12-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/021
申请日 : 20200915
申请日 : 20200915
2020-12-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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