一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。本发明在扩展增透光谱宽度的同时提高了光吸收率，且制备工艺兼容现有硅基电池工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112271221A
申请号 ：
CN202011090280.1
公开（公告）日 ：
2021-01-26
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
CN112271221B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
况亚伟张树德魏青竹刘玉申倪志春洪学鹍王书昶郝明辉张德宝
申请人 ：
常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市南三环路99号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张俊范
优先权 ：
CN202011090280.1
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/18 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2022-05-13 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 31/0216
变更事项 : 发明人
变更前 : 况亚伟 张树德 魏青竹 刘玉申 倪志春 洪学鹍 王书昶 郝明辉 张德宝
变更后 : 刘玉申 况亚伟 张树德 洪学鹍 魏青竹 倪志春 王书昶 郝明辉 张德宝
变更事项 : 发明人
变更前 : 况亚伟 张树德 魏青竹 刘玉申 倪志春 洪学鹍 王书昶 郝明辉 张德宝
变更后 : 刘玉申 况亚伟 张树德 洪学鹍 魏青竹 倪志春 王书昶 郝明辉 张德宝
2021-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0216
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2021-01-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
