本发明属于硅烯制备技术领域，所涉及的一种硅烯包覆石墨烯的制备方法，该方法包括步纳米级硅晶体的制备、纳米级硅晶体层的形成、纳米级石墨烯层的形成、复合晶体薄膜的制备和硅烯包覆石墨烯固体的形成，该方法得到生产成本更低廉、生产速度更快的硅烯包覆石墨烯材料，可廉价快速生成的纳米级硅烯的能隙功能，经过石墨烯超导特性与硅烯能隙功能的结合，创造出与量子芯片相近的结构，并经过该结构得到因电子于能隙跳动所产生的热源,作为低阻抗特性的发热材料。此一工艺可以省去生产速度缓慢设备昂贵的气象沉积设备与制造程序。