材料低温半球发射率的测试系统及方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及材料发射率测量技术领域,尤其涉及一种材料低温半球发射率的测试系统及方法。该材料低温半球发射率的测试系统包括测试装置、真空泵、制冷装置以及控温装置,真空泵和制冷装置分别与测试装置相连,测试装置包括真空罩、屏蔽罩、辐射屏罩以及悬挂设置在辐射屏罩内部的样品台,样品台包括电加热片以及分别设置在电加热片两侧的两个金属片,各金属片背向电加热片的一侧分别设有被测样品涂层,且各金属片上分别设有温度计,电加热片和各温度计分别与控温装置相连。本发明提供的材料低温半球发射率的测试系统,可实现10K到300K材料的平均半球发射率的连续测量,可测量温度范围更大,进而提高了测量准确度。
基本信息
专利标题 :
材料低温半球发射率的测试系统及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114486981A
申请号 :
CN202011147230.2
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张思懿沈福至李永王维刘辉明黄荣进李来风
申请人 :
中国科学院理化技术研究所
申请人地址 :
北京市海淀区中关村东路29号
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
李文丽
优先权 :
CN202011147230.2
主分类号 :
G01N25/00
IPC分类号 :
G01N25/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 25/00
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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