一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺
授权
摘要
本发明提供一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。该材料是以酒糟多孔碳作为基底，钴、镍元素以Co‑Ni‑LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面得到的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。其工艺是：首先将酒糟碳化得酒糟多孔碳，再与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应，最后经过抽滤、洗涤，干燥，即可得产品。制备的复合材料稳定性好、复合程度高，兼具较高的比容量、倍率性能，同时基底碳材料来源为酒糟，原料来源广泛且价格便宜，使酒糟“变废为宝”。
基本信息
专利标题 ：
一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112289591A
申请号 ：
CN202011149172.7
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
CN112289591B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
彭洪亮胡芳杨永健杨松涛么蕾徐芬孙立贤
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市金鸡路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何世磊
优先权 ：
CN202011149172.7
主分类号 ：
H01G11/26
IPC分类号 ：
H01G11/26 H01G11/30 H01G11/32 H01G11/44 H01G11/86
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G11/00
混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层电容器；其制造方法或其零部件的制造方法
H01G11/22
电极
H01G11/26
以它们的结构为特征的，如多层、多孔或表面特征
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 11/26
申请日 : 20201023
申请日 : 20201023
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112289591A.PDF
PDF下载
