伪双端口存储器及其位线控制方法、装置
实质审查的生效
摘要

一种伪双端口存储器及其位线控制方法、装置,所述方法包括:当在一存取周期内执行读取操作和所述读取操作之后的写入操作时,获取对应的读取数据和写入数据的信息;当确定所述读取数据和写入数据相同时,生成对应的第一控制信号,以使得所述位线预充电单元在所述读取操作结束时,基于所述第一控制信号将所述存储阵列对应列的位线对中的对应位线从第一逻辑低电平继续下拉至第二逻辑低电平;所述第一逻辑低电平为所述读取操作结束时所述对应位线上的电压信号,所述第二逻辑电平信号为所述写入操作时施加于所述对应位线上的电压信号。上述的方案,可以节约伪双端口存储器的能耗并提高工作速度,提升伪双端口存储器的性能。

基本信息
专利标题 :
伪双端口存储器及其位线控制方法、装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496005A
申请号 :
CN202011156363.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
苏柏青何超苏柏松
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
代理机构 :
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
高静
优先权 :
CN202011156363.6
主分类号 :
G11C7/12
IPC分类号 :
G11C7/12  G11C7/18  G11C7/22  G11C8/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置,例如:I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
G11C7/12
位线控制电路,例如,用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/12
申请日 : 20201026
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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