位线驱动装置及其制造方法、3D存储器件及其制造方法
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摘要
本申请公开了一种位线驱动装置及其制造方法、3D存储器件及其制造方法，该位线驱动装置包括半导体层以及基于半导体层形成的多个半导体器件，每个半导体器件包括：栅介质层，位于半导体层表面；栅极导体，位于栅介质层上；第一掺杂区，在位于半导体层中掺杂形成的，并位于栅极导体的一侧；漏区，是在半导体层中的第一掺杂区中再掺杂形成的；源区，位于半导体层中，并位于栅极导体的另一侧；以及第二掺杂区，位于栅极导体与漏区之间，至少部分是在半导体层中的第一掺杂区中再掺杂，其中，半导体层为第一掺杂类型，源区、漏区、第一掺杂区以及第二掺杂区为第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
基本信息
专利标题 ：
位线驱动装置及其制造方法、3D存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112289802A
申请号 ：
CN202011109615.X
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN112289802B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
甘程
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202011109615.X
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11582
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20201016
申请日 : 20201016
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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