具有梯形位线之存储装置以及其制造方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明是提供一种存储装置(100)及制造方法。该存储装置(100)包括：半导体衬底(110)以及设置在该半导体衬底(110)之上的电荷捕捉介电叠层(116、118、120)。栅极电极(122)是设置在该电荷捕捉介电叠层(116、118、120)之上，该栅极电极(122)电性地界定出位于该半导体衬底(110)之部分(114)内的沟道(124)。该存储装置(100)包括有一对的位线(112)，该位线具有下部和大致为梯形的上部。
基本信息
专利标题 ：
具有梯形位线之存储装置以及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103465A
申请号 ：
CN200680002239.6
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·梅利克-马尔季罗相M·T·拉姆斯贝M·W·伦道夫
申请人 ：
斯班逊有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200680002239.6
主分类号 ：
H01L29/792
IPC分类号 ：
H01L29/792
法律状态
2016-04-27 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101731640257
IPC(主分类) : H01L 29/792
专利号 : ZL2006800022396
登记生效日 : 20160408
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 斯班逊有限公司
变更后权利人 : 赛普拉斯半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
号牌文件序号 : 101731640257
IPC(主分类) : H01L 29/792
专利号 : ZL2006800022396
登记生效日 : 20160408
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 斯班逊有限公司
变更后权利人 : 赛普拉斯半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2011-03-30 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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