开放位线结构的全强度可测试存储器设备及其测试方法
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摘要
本发明提供了一种具有开放位线结构的全强度可测试存储器设备以及一种测试该存储器设备的方法。本发明的存储器设备包括虚位线以及连接到该虚位线的电压控制器。该电压控制器在测试模式期间交替地将第一可变控制电压和第二可变控制电压提供所述虚位线。根据测试该存储器设备的方法，在正常操作模式期间将固定电压提供到边缘子阵列的虚位线上。但是，在测试模式期间，利用电源电压和/或地电压来替换正施加到虚位线上的固定电压，从而可以平等地测试所有子阵列。
基本信息
专利标题 ：
开放位线结构的全强度可测试存储器设备及其测试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822208A
申请号 ：
CN200510129467.7
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴基元黄泓善金成律
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
黄小临
优先权 ：
CN200510129467.7
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00 G11C29/00 H01L27/105
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2010-05-05 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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