具有交指型位线结构的半导体存储器阵列
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
公开了用于增加位线间和读出放大器间的间距以便于实现半导体存储器件的制造的一种布局设计方法和能够减少读出放大器数量的半导体存储阵列。该半导体存储器阵列包括多条位线，多个读出放大器，每个读出放大器与每一对位线相连接，其中，按每列设置的读出放大器构成各个组，奇数对位线与偶的或奇的读出放大器相连，偶数对位线与奇的或偶的读出放大器相连。
基本信息
专利标题 ：
具有交指型位线结构的半导体存储器阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052964A
申请号 ：
CN90106618.4
公开（公告）日 ：
1991-07-10
申请日 ：
1990-07-31
授权号 ：
CN1022146C
授权日 ：
1993-09-15
发明人 ：
赵秀仁徐东一黄泓善
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
郭伟刚
优先权 ：
CN90106618.4
主分类号 ：
G11C7/06
IPC分类号 ：
G11C7/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/06
读出放大器；相关电路
法律状态
2008-10-01 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-09-15 ：
授权
1992-07-22 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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