具有模制结构的半导体存储器装置
公开
摘要
提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：模制结构，包括堆叠在第一基底上的栅电极；沟道结构，穿透模制结构的第一区域，以与栅电极交叉；第一贯穿结构，穿透模制结构的第二区域；以及第二贯穿结构，穿透模制结构的第三区域。模制结构还包括：存储器单元块，在第一方向上延伸，并且在第二方向上间隔开；以及虚设块，在第一方向上延伸，并且设置在存储器单元块之间。存储器单元块和虚设块中的每个包括布置在第一方向上的单元区域和延伸区域。第一区域是存储器单元块中的一个存储器单元块的单元区域，第二区域是存储器单元块中的所述一个存储器单元块的延伸区域，并且第三区域是虚设块的延伸区域。
基本信息
专利标题 ：
具有模制结构的半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361177A
申请号 ：
CN202111192282.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李明勳申东夏郭判硕边大锡
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩芳
优先权 ：
CN202111192282.6
主分类号 ：
H01L27/11582
IPC分类号 ：
H01L27/11582
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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