用于使动态随机存取存储器位线金属平滑的方法和设备
实质审查的生效
摘要
一种使存储器结构的位线金属的顶表面平滑以降低位线堆叠的电阻的工艺。该工艺包括在基板上的多晶硅层上沉积约至
的钛层，在钛层上沉积约
至约
的第一氮化钛层，在约700℃至约850℃的温度下对基板进行退火，退火后在第一氮化钛层上沉积约
至约
的第二氮化钛层，在第二氮化钛层上沉积钌位线金属层，在约550度至约650度的温度下对位线金属层进行退火，以及在退火期间将位线金属层在氢基环境中浸泡约3分钟到约6分钟。
基本信息
专利标题 ：
用于使动态随机存取存储器位线金属平滑的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496932A
申请号 ：
CN202111344524.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
普里亚达希·潘达黄锡硕
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202111344524.9
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/321
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20211112
申请日 : 20211112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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