具有拟折叠位线的动态存储阵列

专利权的终止专利权有效期届满

摘要

半导体动态读/写存储装置含有一单晶体存储单元的行列阵列，其每列单元有一差动读出放大器，该读出放大器所具有的一对平衡位线，它是以拟折叠位线结构构成，并自其输入端延伸。存储单元并非直接连于位线上，而是耦合至位线段上。行地址选择一单元连至线段上，并选择两线段的一条来与两位线的一条相联。单元的字线是成组地连于两位线上的，而不是一对一的交错。每段线有一组字线，而各组是互相交错的。若与一对一交错方案比较，组合的段线及位线电容对存储电容具有更佳的比率。

基本信息

专利标题：

具有拟折叠位线的动态存储阵列

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN85103516A

申请号：

CN85103516.7

公开（公告）日：

1986-11-05

申请日：

1985-05-02

授权号：

CN85103516B

授权日：

1987-04-15

发明人：

麦克尔罗伊

申请人：

得克萨斯仪器公司

申请人地址：

美国得克萨斯州

代理机构：

中国专利代理有限公司

代理人：

李先春

优先权：

CN85103516.7

主分类号：

G11C8/02

IPC分类号：

G11C8/02